| 出願番号 |
特願2004-076050 |
| 出願日 |
2004/3/17 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2005-268383 |
| 公開日 |
2005/9/29 |
| 登録番号 |
特許第4660744号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
半導体薄膜作製方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
スパッタ蒸着法、ＳｉＧｅ系の半導体薄膜、高周波コイル |
| 目的 |
スパッタ蒸着法で作製したＳｉＧｅ系薄膜が、ＣＶＤ方法で作製した薄膜と比較して、導電率が低 い、移動度が低いという問題を、抜本的に解決することを可能とする、新しいＳｉＧｅ系半導体薄膜を製 作する方法及びそのＳｉＧｅ系薄膜の提供。 |
| 効果 |
高性能で、特性の安定したデバイスを提供でき、ＣＶＤ方法で作製した薄膜と比べて、導電率が低 い、移動度が低い等の問題点を抜本的に解決でき、また、信号安定性に優れたＳｉＧｅ系半導体薄膜を提 供することが可能である。作製された薄膜の表面は滑らかな良質な薄膜を示し、熱処理後の薄膜中の酸素 濃度が低く、その表面も平滑性が保たれた、優れたデバイス特性を有するＳｉＧｅ系薄膜を提供すること ができる。 |
技術概要
 |
この技術は、ターゲット上に、高周波コイルを設置し、これに高周波電流を流し、良質のプラ ズマを発生させることにより、半導体特性が優れたＳｉＧｅ薄膜材料を作製する。この技術では、高周波 コイル付きマグネトロンスパッタ蒸着方法及び装置が使用される。その一例としては、プラズマ源を、筒 状のケーシングと、このケーシングの先端部の内側に、この内部と間隔を置くように取り付けられた内部 がプラズマ室となった有低形状のプラズマセルと、このプラズマセルの外周に巻回された高周波コイルと 、プラズマセルの底部背後に配置され、高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁石と、プラズ マセルのプラズマ室側の底部に取り付けたスパッタターゲットを備えた装置が例示される。この装置を、 ＳｉＧｅ薄膜作製に応用することで、優れた特性を持つＳｉＧｅ系薄膜の作製を可能とするものである。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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