半導体薄膜作製方法

開放特許情報番号
L2004007307
開放特許情報登録日
2004/8/13
最新更新日
2015/9/14

基本情報

出願番号 特願2004-076050
出願日 2004/3/17
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-268383
公開日 2005/9/29
登録番号 特許第4660744号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体薄膜作製方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 スパッタ蒸着法、SiGe系の半導体薄膜、高周波コイル
目的 スパッタ蒸着法で作製したSiGe系薄膜が、CVD方法で作製した薄膜と比較して、導電率が低 い、移動度が低いという問題を、抜本的に解決することを可能とする、新しいSiGe系半導体薄膜を製 作する方法及びそのSiGe系薄膜の提供。
効果 高性能で、特性の安定したデバイスを提供でき、CVD方法で作製した薄膜と比べて、導電率が低 い、移動度が低い等の問題点を抜本的に解決でき、また、信号安定性に優れたSiGe系半導体薄膜を提 供することが可能である。作製された薄膜の表面は滑らかな良質な薄膜を示し、熱処理後の薄膜中の酸素 濃度が低く、その表面も平滑性が保たれた、優れたデバイス特性を有するSiGe系薄膜を提供すること ができる。
技術概要
この技術は、ターゲット上に、高周波コイルを設置し、これに高周波電流を流し、良質のプラ ズマを発生させることにより、半導体特性が優れたSiGe薄膜材料を作製する。この技術では、高周波 コイル付きマグネトロンスパッタ蒸着方法及び装置が使用される。その一例としては、プラズマ源を、筒 状のケーシングと、このケーシングの先端部の内側に、この内部と間隔を置くように取り付けられた内部 がプラズマ室となった有低形状のプラズマセルと、このプラズマセルの外周に巻回された高周波コイルと 、プラズマセルの底部背後に配置され、高周波コイルの軸線と平行な磁場を形成する永久磁石と、プラズ マセルのプラズマ室側の底部に取り付けたスパッタターゲットを備えた装置が例示される。この装置を、 SiGe薄膜作製に応用することで、優れた特性を持つSiGe系薄膜の作製を可能とするものである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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