熱電変換材料薄膜とセンサ素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2004006741
開放特許情報登録日
2004/7/23
最新更新日
2015/9/11

基本情報

出願番号 特願2003-380686
出願日 2003/11/11
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-179643
公開日 2004/6/24
登録番号 特許第4304272号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 熱電変換材料薄膜とセンサ素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 ガスセンサ、赤外線センサ、熱電変換素子
目的 温度差を電気信号に変換する熱電変換材料としてのSiGe系半導体薄膜を作製する方法、良好な熱電特性の付与されたSiGe系薄膜、及びセンサ素子を提供する。
効果 センサ素子を、揮発性有機シリコンのガスに露出してその表面に薄い膜を形成することでそのガス選択性を高めることができる。
技術概要
本発明は、温度差を信号源とするセンサ素子の構成要素である局部的な温度差を電気信号に変換する熱電変換材料部の部材としてのSiGe系の半導体薄膜をスパッタ法を利用して作製する方法であって、スパッタ蒸着後のSiGe系半導体薄膜材料を熱処理するSiGe系薄膜の作製方法、SiGe系半導体薄膜をスパッタ蒸着法で製膜する際に、基板温度及び/又はプラズマの出力を高めて、結晶化が進んだ構造の薄膜を形成する方法、及びこれにより作製する、熱処理により良好な熱電特性を付与するものである。図に、水素センサとしての水素選択性を、他の可燃性ガスと比較して実験した結果を示す。原理的にも、白金を触媒として用いることで、高い選択性が得られると期待されるが、図示したように、約150℃以下では水素以外のガスには殆ど応答しない結果が得られた。SiGeを用いた熱電式水素センサは、十分にその機能を果すことが明らかである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 センサ素子を、揮発性有機シリコンのガスに露出してその表面に薄い膜を形成することでそのガス選択性を高めることができる。
改善効果2 センサ素子を揮発性有機シリコンのガスに露出してその表面に薄い膜を形成し、更に、より高温まで加熱処理して触媒劣化を防ぎながら緻密な膜を形成し、ガス選択性を高めることができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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