pチャネル電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2004006650
開放特許情報登録日
2004/7/23
最新更新日
2015/11/2

基本情報

出願番号 特願2002-274343
出願日 2002/9/20
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2004-109020
公開日 2004/4/8
登録番号 特許第3910512号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 pチャネル電界効果トランジスタの製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、化学・薬品
機能 機械・部品の製造、表面処理、検査・検出
適用製品 pチャネル電界効果トランジスタ
目的 オゾン処理による高い閾値電圧を有する特性の良好なpチャネル電界効果トランジスタを提供することを。
効果 イオン感応性のない表面チャネルを有する電界効果トランジスタが作製できる。
技術概要
本発明のpチャネル電界効果トランジスタは、図に示すように、液体電解質をゲートとして使用し、オゾン処理により水素終端表面を部分的に酸化し、水素終端と酸素終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとする。酸素の被覆率を高くすることにより閾値電圧を負の方向にシフト可能にする。液体電解質のpH1−pH14の変化およびアルカリイオン等の正イオン、ハロゲンイオン等の負イオン10−1から10−6モル/リットルに対して閾値電圧が±0.1V範囲内で変化しないようにしたことを特徴とする。液体電解質をゲートとして使用し、水素と窒素の混合プラズマにより水素終端表面をアミノ化し、水素終端とアミノ終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとする。アミノ終端にペプチド結合によるカルボキシル化を行った上で、さらにペプチド結合によリDNAを固定する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 所望の感応性を有する有機分子、生体分子を固定し、選択性の高いイオンセンサーやバイオセンサーを作製することができる。
改善効果2 表面へ任意の分子を固定する道筋ができた。
改善効果3 イオン感応性のない表面チャネルを有する電界効果トランジスタが作製できる。
アピール内容 当ライセンス情報は、独立行政法人科学技術振興機構の『研究成果展開総合データベース(J−STORE)』に掲載中の情報をもとに作成したものです。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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