電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2004005652
開放特許情報登録日
2004/6/11
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2000-085947
出願日 2000/3/27
出願人 科学技術振興事業団
公開番号 特開2001-272372
公開日 2001/10/5
登録番号 特許第3313696号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 イオン感受性電界効果トランジスタ(ISFET)、バイオセンサ
目的 液体電解質をゲートとして、液体電解質の中で安定して動作する電界効果トランジスタを提供する。
効果 液体電解質をゲートとし、液体電解質の中で安定に動作し、pH依存性がないチャネル上でのイオン選択性官能基の表面修飾により、高感度な液体電解質ゲートダイヤモンドFETを得ることができる。
技術概要
 
本発明は、図示するように、ソース電極3とドレイン電極6間にダイヤモンドの水素終端表面2が露出したpチャネルと、このpチャネルの露出したダイヤモンドの水素終端表面に接触する液体電解質4と浸漬した電極5からなるゲートとを備える電界効果トランジスタであって、ドレイン電流はゲート電圧により制御され、ピンチオフする。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 液体電解質をゲートとし、液体電解質の中で安定に動作し、pH依存性がないチャネル上でのイオン選択性官能基の表面修飾により、高感度な液体電解質ゲートダイヤモンドFETを得ることができる。
改善効果2 閾値電圧のpH依存性が殆どないことを利用して、イオン官能FET測定回路における基準電位を決定する参照用FETとして利用することができる。
アピール内容 当ライセンス情報は、独立行政法人科学技術振興機構の『研究成果展開総合データベース(J−STORE)』に掲載中の情報をもとに作成したものです。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT