蓄積リング型自由電子レーザー装置とその高輝度化方法

開放特許情報番号
L2004005092
開放特許情報登録日
2004/5/14
最新更新日
2015/9/11

基本情報

出願番号 特願2004-055106
出願日 2004/2/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-244109
公開日 2005/9/8
登録番号 特許第4403269号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 蓄積リング型自由電子レーザー装置とその高輝度化方法
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 アンジュレータ、光共振器
目的 Qスイッチを行う場合でも狭いパルス幅及び線幅で自由電子レーザーのミクロパルスを成長させることができる蓄積リング型自由電子レーザーとその高輝度化方法の提供。
効果 従来のQスイッチによる自由電子レーザーよりも、自由電子レーザーミクロパルスの運動が少なくなり、安定した発振を繰り返して得ることができる。
技術概要
この技術における光検出器は、光共振器から出力される光パルス(自由電子レーザーミクロパルス)を測定する。ステアリングコイルは、電子バンチ電流を制御する。電流モニタは、真空容器の電子ビーム入出力口のいずれかに配置され、電子バンチ電流を観測する。そして、制御用コンピュータは、電流モニタの検出電流および光検出器のパルス強度を取り込んで、信号発信器を介してRFキャビティを制御して電子ビームの位相を調節し、各チョッパーごとに独立に設置された精密位置調整器および位相調整器を介してチョッパーを移動して光パルス値を調整し、また、ステアリングコイル電流を調整して電子バンチ電流を調整して、装置の有効利得を制御する。このとき、制御系は、信号発生器から高周波信号を受け取りそれを増幅するRF電源と、その増幅された高周波を共振させて電子バンチ加速及びバンチ化を行うRFキャビティ、さらにRF電源の位相を、制御信号と整合させて位相調整を行う位相調整器とその調整後の高周波によって駆動されるRFモーターからなる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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