プラズマプロセス装置

開放特許情報番号
L2004005089
開放特許情報登録日
2004/5/14
最新更新日
2006/2/24

基本情報

出願番号 特願2004-054814
出願日 2004/2/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-244098
公開日 2005/9/8
発明の名称 プラズマプロセス装置
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 薄膜半導体、微結晶シリコン、非晶質シリコン薄膜太陽電池、プラズマ化学蒸着装置
目的 安定した高密度のプラズマがメッシュとカソード板との間に封じ込められる形で生成され、ガスを効率よく分解し、高速製膜の製造の提供。
効果 メッシュ/カソード板の間隔内に原料ガスを導入することにより、この間隔内において原料ガスの枯渇が高い割合で実現され、原料ガスを高い効率で利用しながら薄膜の高速製造が可能となる。
技術概要
この技術では、面積128cm↑2の平行平板型プラズマCVD装置を使用し、ガスシャワーヘッド一体型ステンレス製カソード板表面から距離 約2mm離れた位置に表面と平行に、0.6mm角のステンレス製のメッシュ(開口率64%、0.15mm厚)を配置し、カソード板とステンレス部品により接続した構成において、原料ガスとしてSiH↓4およびH↓2を用い、ガラス基板上に微結晶シリコン薄膜を作製する。製膜条件としては、SiH↓4流量を30sccm、H↓2流量を510sccmとし、放電用電源周波数60MHz、投入電力125−925W、ガス圧力0.3〜2Torr、基板温度350℃、カソード−アノード電極間距離4−7mmの条件を用いる。このように、結晶性の良好な微結晶シリコン薄膜を、製膜速度約30A/sにて作製することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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