シリカライト膜の形成方法及び分離膜

開放特許情報番号
L2004005036
開放特許情報登録日
2004/5/14
最新更新日
2015/9/11

基本情報

出願番号 特願2004-030893
出願日 2004/2/6
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-218990
公開日 2005/8/18
登録番号 特許第4096058号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 シリカライト膜の形成方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリカライト膜、分離膜、ゼオライト
目的 多孔質基板の表面に存在する細孔に対して薄くゼオライト層を形成したゼオライト分離膜の提供。
効果 種結晶を手で塗布する方法に比べ、格段に平滑かつ均一に種結晶を塗布できる。また、手で種結晶を塗布する方法よりも再現性よく種結晶を塗布することができる。種結晶塗布量を電圧や電圧印加時間を制御することで精密に制御することができる。
技術概要
この技術では、シリカ種結晶を有機溶媒又は水に分散させた状態で、多孔質基板を存在させて電極間に電圧を印加して、多孔質基板表面にシリカ種結晶を付着させ、この基板表面のシリカ種結晶と、シリカ源、アルカリ源、テンプレートをイオン交換水に加えて調整して得られる合成ゲルを水熱合成することにより、シリカ種結晶を成長させて多孔質基板表面にシリカライト緻密膜を形成する。または、シリカ種結晶を有機溶媒又は水に分散させた状態で、多孔質基板と電極間に電圧を印加して、多孔質基板表面にシリカ種結晶を付着させ、この基板表面のシリカ種結晶と、シリカ源、アルカリ源、テンプレートをイオン交換水に加えて調整して得られる合成ゲルを水熱合成することにより、シリカ種結晶を成長させて多孔質基板表面にシリカライト緻密膜を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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