薄膜トランジスタ

開放特許情報番号
L2004005034
開放特許情報登録日
2004/5/14
最新更新日
2015/9/11

基本情報

出願番号 特願2004-030296
出願日 2004/2/6
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-223175
公開日 2005/8/18
登録番号 特許第4423418号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 薄膜トランジスタ
技術分野 電気・電子、有機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 薄膜トランジスタ、有機半導体化合物層を用いた薄膜トランジスタ
目的 簡便かつ安価な方法により合成及び精製が可能な高移動度を有する有機半導体化合物又は薄膜トランジスタの提供。
効果 簡便かつ安価な方法により合成及び精製が可能な高移動度を有する有機半導体化合物又は薄膜トランジスタを提供することが可能であり、また高移動度を保ちながら真空下での蒸発または昇華温度を上昇させ(蒸発または昇華し難い材料とし)、実用的な有機薄膜トランジスタの製造を可能にする。
技術概要
この技術では、有機半導体化合物は、式1に示される構造若しくはその異性体の構造を備え、半導体化合物は置換していてもよく(未置換でも良い)、構造において、Xは硫黄又はセレンであるものとする。また、有機半導体化合物の置換基は、炭素原子数が1〜18を有することが好ましい。有機半導体化合物は、式2に示されるヘキサメチレンテトラチアフルバレン、ヘキサメチレンテトラセレナフルバレン、ジベンゾテトラチアフルバレン、ジベンゾテトラセレナフルバレン又はその異性体のいずれかの構造を備え、置換基はR↓1,R↓2,R↓3,R↓4,R↓5,R↓6で示されるものであってもよい。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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