量子細線電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2004004628
開放特許情報登録日
2004/4/16
最新更新日
2015/9/11

基本情報

出願番号 特願2004-005728
出願日 2004/1/13
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-203442
公開日 2005/7/28
登録番号 特許第4304339号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 量子細線電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 量子細線電界効果トランジスタ、化合物半導体デバイス
目的 チャネルに量子細線を用いる量子細線電界効果トランジスタにおいて、二律背反的な要素をできるだけバランスさせ得ることに適した構造の実現。
効果 ゲート電位制御の下でのバリスティックな電子伝導を確保しながら、その長さを短くでき、拡幅された量子井戸層の存在により寄生抵抗の低減を図ることができる。
技術概要
この技術では、ソースとドレイン間のチャネルの途中部分であってゲート下に位置する部分を量子細線により構成したチャネルとし、この量子細線チャネルのソース側端とソースの間、及びドレイン側端とドレインの間のチャネル部分を、量子細線の幅寸法に比して拡幅した量子井戸層によるチャネルで量子細線電界効果トランジスタを構成する。ここで、量子細線は、基板に形成しているV溝の谷底に設けたトレンチ型の量子細線であって良く、また、III−V族化合物半導体の選択成長により、それら量子細線及び量子井戸層が形成されることで、両者の接続部を滑らかに形成するようにする。また、チャネルの一部として設ける量子細線は、互いに並設された複数本から構成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT