光検出素子

開放特許情報番号
L2004004627
開放特許情報登録日
2004/4/16
最新更新日
2015/9/11

基本情報

出願番号 特願2004-005580
出願日 2004/1/13
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-203428
公開日 2005/7/28
登録番号 特許第4304338号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光検出素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 光検出素子、フォトディテクタ
目的 広い波長範囲に対しても高感度を示し、高速応答を呈し、低消費電力を実現し、かつまた、素子として要すれば一回の選択成長によって要部を構築できる構造原理を持つ製造コストの低い新たなる光検出素子の提供。
効果 光発生した単一電荷を室温動作で識別する能力を持つ光検出素子が提供できる。すなわち、光によって発生した少数キャリアを導電チャネルの望ましくは一点に蓄積し、チャネル内を流れる多数キャリア電流を極めて効率良く変調することにより、高感度、高速な光検出素子を実現できる。
技術概要
この技術では、ソース、ドレイン電極間のチャネルまたはチャネルの少なくとも一部分をV溝基板のV溝の谷底に形成した量子細線で構成すると共に,この量子細線を覆うクラッド層を少なくとも含んで構成してなる感光領域に光が照射することにより発生したフォトキャリア(少数キャリア:正孔、場合によっては電子)を蓄積するフォトキャリア蓄積部を、その量子細線の内部か、量子細線に連接または近接する位置に設けて,光検出素子を構成する。ここで、感光領域としては、クラッド層や、量子細線の両側にあって量子細線に連接しながらV溝斜面に沿って設けた量子井戸層を用いることができ、この場合には、量子井戸層や上下のクラッド層の厚みや組成を全体的に、あるいは空間分布をもって調整すること等により、量子細線の内部か、または量子細線に連接または近接する部位の望ましくは一部位ないし一点にフォトキャリアを迅速に集めることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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