化合物半導体薄膜及びそれを用いた太陽電池

開放特許情報番号
L2004004414
開放特許情報登録日
2004/3/26
最新更新日
2004/3/26

基本情報

出願番号 特願2002-177401
出願日 2002/6/18
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-022897
公開日 2004/1/22
発明の名称 化合物半導体薄膜及びそれを用いた太陽電池
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、環境・リサイクル対策
適用製品 薄膜太陽電池の光吸収層等に使用される半導体薄膜に適用する。
目的 特定の元素の構成成分からなる化合物半導体薄膜を提供する。
効果 太陽光スペクトル(約1.5eV)の禁制帯幅に適合するので、薄膜太陽電池に用いれば極めて高いエネルギー変換効率が実現でき、また、地球上の希少元素(In等)を使用することなく、低コストかつ安全であって長寿命な半導体薄膜が得られる。
技術概要
周期表TB族元素、TTTB族元素及びVTB族元素を構成成分として、TTTB族元素の一部をFeで置き換えた組成からなり、好ましくは、式:CuGa↓1↓−↓xFe↓x(Se↓1↓−↓yS↓y)↓2(0<x<1、0<y≦1)で表される組成からなる化合物半導体薄膜にする。この薄膜は、例えば、多元蒸着法、反応性プラズマ堆積法、スパッタ堆積法等により形成される。尚、この薄膜を薄膜太陽電池の光吸収層に用い、更にZnO層を含む窓層を設けるのが有効である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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