| 出願番号 |
特願2003-427791 |
| 出願日 |
2003/12/24 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2005-186175 |
| 公開日 |
2005/7/14 |
| 登録番号 |
特許第4210756号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
カーボンナノチューブ構造体 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
カーボンナノチューブ、低抵抗電極 |
| 目的 |
電極や基板とＣＮＴとの接合を改善し、理想的低抵抗状態であるバリスティック伝導になるようにすることの実現。 |
| 効果 |
理想的なバリスティック伝導を実現することができ、電気配線においては、拡散的な伝導による電力損失を軽減でき、電子デバイスの低消費電力化につながる。また、ＣＮＴ自身のバリスティック伝導を利用した超高速デバイスを実現することが可能になり、大量な情報を低消費電力で転送することが可能になる。 |
技術概要
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この技術では、電極や基板とＣＮＴとの接合にＴｉＮｉを用いる。電極作製の場合においては、ＴｉＮｉナノ粒子を接合部分に塗布し、そこにＣＮＴを操作し配置する。その後、電極部分を加熱しＴｉＮｉを融解させ、ＣＮＴと既存の電極をＴｉＮｉで電気的機械的に良好な状態で固定する。その良否判断は、ＣＮＴの両端にある電極（ＴｉＮｉ）に電圧を印加しそのコンダクタンスが２ｅ↑２／ｈの整数倍になっているかで判断する。電極としてもＴｉＮｉ以外の形状記憶合金である、ＡｕＣｄ合金あるいはＣｕＡｌＮｉ合金等も本願発明に係る合金であるＴｉＮｉに近い性質を示す可能性がある。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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