ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を用いた素子

開放特許情報番号
L2004003752
開放特許情報登録日
2004/3/12
最新更新日
2015/9/9

基本情報

出願番号 特願2003-412356
出願日 2003/12/10
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-175164
公開日 2005/6/30
登録番号 特許第3864232号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を用いた素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ナノギャップ電極、ナノギャップ電極を用いた素子
目的 光露光や電子ビーム露光などのウェットプロセスを用いることなく、ミクロンオーダー程度のパターンニング精度の技術を用いて、100nm以下、特に50nm以下のギャップ幅のナノギャップ電極を製造する方法及びこの方法により製造したナノギャップ電極を用いた素子の提供。
効果 光露光や電子ビーム露光などのウェットプロセスを用いることなく、ミクロンオーダー程度のパターンニング精度の技術を用いて、100nm以下、特に50nm以下のギャップ幅のナノギャップ電極及びこのナノギャップ電極を用いた素子を提供することが可能となる。
技術概要
この技術では、ナノギャップ電極の製造工程は、基板上に、ナノレベルで平坦な壁面エッジを持つプレートをあてがうプレート適用工程を備えると共に、プレートを第一のマスクとして、基板面に対して導電性材料を斜め蒸着し、電極エッジ角度θ↓1(0°<θ↓1<90°)となるように第一番目の電極層を設ける第一の蒸着工程を備える。また、第一のマスク取り外し工程を備え、スリットを持つメタルマスクを第二のマスクとして、基板上に形成された第一番目の電極に対してスリットが直角となる方向にあてがうメタルマスク適用工程を備える。そして、基板面に対してθ↓2(0°<θ↓2<θ↓1<90°)の角度で導電性材料を斜め蒸着し、ナノメートルスケール・オーダーのギャップが形成されるように第二番目の電極層を設ける第二の蒸着工程を備えると共に、第二のマスク取り外し工程を備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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