薄膜の膜圧及び密度の測定方法並びに測定装置

開放特許情報番号

L2004003729

開放特許情報登録日

2004/3/12

最新更新日

2020/3/20

基本情報

出願番号	特願2003-406632
出願日	2003/12/5
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	特開2005-164503
公開日	2005/6/23
登録番号	特許第3937018号
特許権者	国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称	薄膜の膜厚及び密度の測定方法並びに測定装置
技術分野	機械・加工
機能	機械・部品の製造、検査・検出
適用製品	半導体、光デバイス、薄膜の膜厚及び密度の測定方法
目的	基板上に載った薄膜の膜厚及び密度を、光源を用いることなく、非破壊的に測定することの実現。
効果	測定に光源を用いないため、薄膜の光に対する透過性、表面状態等の制限が無く、薄膜物質の種類 に依存しない測定が可能となる。
技術概要	この技術では、基板上に薄膜を形成し、形成した薄膜の膜厚及び密度を測定する方法において 、基板の厚さｔ及び面積Ｓの測定を行うとともに、基板上に薄膜を形成する前後の質量ｍ、ｍ＋Δｍ及び 浮遊圧力の差Δｐを測定することにより、薄膜の膜厚Δｔ及び密度ρ↓ｘを求める。また、基板上に薄膜 を形成し、形成した薄膜の膜厚及び密度を測定する装置において、基板の厚さｔ及び面積Ｓを測定する基 板測定装置並びに基板上に薄膜を形成する前後の質量ｍ、ｍ＋Δｍを測定する質量測定装置及び浮遊圧力 の差Δｐを測定する圧力浮遊装置を備え、基板測定装置、質量測定装置及び圧力浮遊装置で得られた値を 入力することにより薄膜の膜厚ｔ及び密度ρ↓ｘを演算して表示する制御装置を設ける。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】