薄膜の膜圧及び密度の測定方法並びに測定装置

開放特許情報番号
L2004003729
開放特許情報登録日
2004/3/12
最新更新日
2015/9/9

基本情報

出願番号 特願2003-406632
出願日 2003/12/5
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-164503
公開日 2005/6/23
登録番号 特許第3937018号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 薄膜の膜厚及び密度の測定方法並びに測定装置
技術分野 機械・加工
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 半導体、光デバイス、薄膜の膜厚及び密度の測定方法
目的 基板上に載った薄膜の膜厚及び密度を、光源を用いることなく、非破壊的に測定することの実現。
効果 測定に光源を用いないため、薄膜の光に対する透過性、表面状態等の制限が無く、薄膜物質の種類 に依存しない測定が可能となる。
技術概要
この技術では、基板上に薄膜を形成し、形成した薄膜の膜厚及び密度を測定する方法において 、基板の厚さt及び面積Sの測定を行うとともに、基板上に薄膜を形成する前後の質量m、m+Δm及び 浮遊圧力の差Δpを測定することにより、薄膜の膜厚Δt及び密度ρ↓xを求める。また、基板上に薄膜 を形成し、形成した薄膜の膜厚及び密度を測定する装置において、基板の厚さt及び面積Sを測定する基 板測定装置並びに基板上に薄膜を形成する前後の質量m、m+Δmを測定する質量測定装置及び浮遊圧力 の差Δpを測定する圧力浮遊装置を備え、基板測定装置、質量測定装置及び圧力浮遊装置で得られた値を 入力することにより薄膜の膜厚t及び密度ρ↓xを演算して表示する制御装置を設ける。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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