光電変換素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2004003715
開放特許情報登録日
2004/3/12
最新更新日
2015/9/9

基本情報

出願番号 特願2003-400303
出願日 2003/11/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-166744
公開日 2005/6/23
登録番号 特許第4189491号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光電変換素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 光照射により出力電流を得る光電変換素子、受光素子、光検出素子、光スイッチ、動画検出、オプトレクトロニクス、結晶シリコン半導体、アバランシェフォトダイオード、フレキシブル素子
目的 室温下で動作し、プラスチックなどの可撓性を有する基板上にも容易に作成することができ、低い駆動電圧で、より高いS/N比を示す高効率有機光電変換素子及びその製造方法の提供。
効果 低い駆動電圧でも効率の高い光電変換効率が得られるため、作動させる電力が少なくて済む。有機半導体の固体薄膜および金属電極により構成されているため、製造しやすいとともに、フィルム素子化、大面積素子化、フレキシブル素子化が可能であり、耐衝撃性にも強い。
技術概要
この技術は、光電変換を行わせる活性層の受光効率を向上させることができれば、優れた受光素子の創製に繋がるとの予測に基づく。即ち、基板、構造制御層、第1半導体層、第2半導体層、第1電極、第2電極から構成され、入力光は、基板面に垂直方向から照射され、出力電流は基板面と平行方向に取り出される光電変換素子とする。光が半導体層の膜面と垂直方向から入射されることにより、光が膜厚深いところまで進入しなくともpn接合面に十分な強度で到達することができるため、効率の高い光電変換が実現できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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