出願番号 |
特願2003-396025 |
出願日 |
2003/11/26 |
出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
公開番号 |
特開2005-159031 |
公開日 |
2005/6/16 |
登録番号 |
特許第4734557号 |
特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
発明の名称 |
3C−SiCエピタキシャル薄膜の作製方法及び同方法で作製したSiCエピタキシャル薄膜 |
技術分野 |
電気・電子、金属材料、無機材料 |
機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
適用製品 |
3C−SiC薄膜の結晶格子欠陥の生成を抑制したエピタキシャル薄膜、ダブルポジショニング バウンダリー、シリコン半導体、バンドギャップ、次世代半導体素子、炭化珪素(SiC)系の半導体素子 |
目的 |
Si基板上にDPBのない3C−SiCエピタキシャル薄膜を作製する方法、及びこの方法により得られるDPBの生成が反射高速電子線回折(RHEED)及びX線回折(XRD)の測定限界以下である3C−SiC薄膜の提供。 |
効果 |
DPBの生成が反射高速電子線回折(RHEED)及びX線回折(XRD)の測定限界以下である3C−SiCへテロエピタキシャル薄膜を作製することができる。また、Si(111)基板上に、格子欠陥がない3C−SiCエピタキシャル薄膜を作製することができる。 |
技術概要 |
この技術は、炭化珪素(SiC)へテロエピタキシャル薄膜の結晶格子欠陥の1つである、ダブル ポジショニング バウンダリー(DPB)の生成を抑制して、SiCエピタキシャル薄膜を作製する方法であって、Si単結晶基板又は結晶性Si膜基板の上にSiC薄膜を作製する過程で、基板の表面をクリーニングした後に酸化膜で被い、その後、真空中で加熱し、被った酸化膜を蒸発させて得られる清浄な基板表面に、成膜を行うことでDPBの生成を抑制するDPBのないSiCエピタキシャル薄膜の作製方法とする。また、SiCヘテロエピタキシャル薄膜は、立方晶系の3C−SiCであるとよい。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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