光の透過測定による試料の平坦度と複素誘電率測定装置及び測定法

開放特許情報番号
L2004003693
開放特許情報登録日
2004/3/12
最新更新日
2015/9/9

基本情報

出願番号 特願2003-391201
出願日 2003/11/20
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-156188
公開日 2005/6/16
登録番号 特許第4006525号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光の透過測定による試料の平坦度と複素誘電率測定装置及び測定法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 透過スペクトルの変化、薄膜の平坦度、複素誘電率、コンデンサーの容量測定、LCRメータ、電極のロス、電極のインダクタンス、LC共振
目的 基板の平坦度と基板上の薄膜の複素誘電率の両方を同じ測定装置で測定して、薄膜の厚さが1μm以下でも複素誘電率が測定できる方法および装置の提供。
効果 電気的な測定に依らず光学的な測定により、基板の平坦度と基板上の薄膜の複素誘電率の両方を同じ測定装置で測定して、薄膜の厚さが1μm以下でも複素誘電率が測定できる。
技術概要
この技術では、半月状に薄膜で覆われた試料の測定結果において、この相対透過率曲線にベストフィットするように薄膜の複素誘電率を選ぶことで、薄膜の複素誘電率は実数部ε↓1=3.5で虚数部ε↓2=0.08と求まる。そして、一様な厚さのシリコン基板の試料の測定結果において、4インチのシリコン基板は65GHz付近のミリ波で測定すると、ほぼ楔形をしていると推定できる。次にこれらの相対透過率曲線にベストフィットするように鏡面対称の角度と基板の平坦度を求めると、角度が11.2度で、平坦度が、約20μmである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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