薄膜太陽電池の性能回復方法およびその性能回復装置

開放特許情報番号
L2004003642
開放特許情報登録日
2004/3/12
最新更新日
2015/9/9

基本情報

出願番号 特願2003-373865
出願日 2003/11/4
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-142180
公開日 2005/6/2
登録番号 特許第4352124号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 化合物半導体系薄膜太陽電池の性能劣化回復方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 長期信頼性、性能劣化、光吸収層、太陽の光から直接電力を得ることができる太陽電池、無公害、エネルギー源
目的 薄膜太陽電池を交換または廃棄することなく半永久的に使用できるようにすることの実現。
効果 微弱順方向電流を加えることにより、効果的に劣化を回復できる。この方法は、安価かつ手軽であり、薄膜太陽電池を交換することなく、僅かな費用と労力で、半永久的にその性能を維持することが可能になる。よって、結果的に発電コストを低減することができる。
技術概要
この技術は、薄膜太陽電池に順方向電流を通電する薄膜太陽電池の性能回復方法とする。また、薄膜太陽電池の受光面に0.5mA/cm↑2から5mA/cm↑2の電流密度で順方向電流を供給する。また、薄膜太陽電池に順方向の電流を供給する電流源と、薄膜太陽電池に流れる電流を測定する電流計と、薄膜太陽電池に流れる電流を制御する電流調整手段と、を有する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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