並列型高速電子線回折装置

開放特許情報番号
L2004002904
開放特許情報登録日
2004/3/5
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願平10-258971
出願日 1998/9/11
出願人 科学技術振興事業団
公開番号 特開2000-090867
公開日 2000/3/31
登録番号 特許第3057437号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 並列型高速電子線回折装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 RHEED、エピタキシャル成長薄膜
目的 電子線を任意の角度で入射するとともに平行に走査して、広範囲又は複数の領域で薄膜のエピタキシャル成長を分子層単位で正確に制御し且つそのモニタリングをすることのできる並列型高速電子線回折装置の提供。
効果 電子線を任意の角度で入射することができ、ロッキングカーブを高速に得ることができる。さらに平行電子線を、任意の角度で基板及び基板の所定領域に対して広範囲に走査することができる。
技術概要
この技術では、電子銃から出た電子線を偏向する第1偏向コイルと、この第1偏向コイルにより偏向した電子線を再度偏向する第2偏向コイルとを備えた電子線回折装置において、基板及び基板の所定領域のいずれか、あるいは両方に可動マスクが覆ったりはずしたりして原料の異なる薄膜を単分子層ごとにエピタキシャル成長して形成するコンビナトリアルレーザー分子線エピタキシーにあって、単分子層ごとのエピタキシャル成長している基板又は基板の所定領域に対して、可動マスクと連動して第1偏向コイル及び第2偏向コイルを制御し設定した角度で平行電子線を入射しスキャンする。またこの構成に加え、第1偏向コイルと第2偏向コイルとを電気的に制御して基板の所定領域の任意の位置に任意の入射角度で電子線を入射してロッキングカーブを得る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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