光照射による基材表面処理方法及びその装置

開放特許情報番号
L2004000668 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2004/1/23
最新更新日
2015/9/9

基本情報

出願番号 特願2002-334472
出願日 2002/11/19
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2003-334502
公開日 2003/11/25
登録番号 特許第4085158号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光照射による基材表面処理方法及びその装置
技術分野 機械・加工
機能 材料・素材の製造、表面処理、環境・リサイクル対策
適用製品 疎水性の材料を親水化する、基材表面を酸化して酸化皮膜を形成する、基材に付着した有機物を選択的に除去する等の表面処理に適用する。
目的 特定の条件下で基材を処理することにより、基材表面の親水化、酸化皮膜形成、有機物の除去が可能なドライプロセスからなる表面処理法を提供する。
効果 従来のように有機溶剤を使用することなくがないので環境への負荷が小さく、複雑な形状を有する例えば粉末状試料等を、低温で、且つ容易に表面処理が行えるようになる。
技術概要
(A)任意の雰囲気圧力に制御した系内で、金属、セラミックス、プラスチック等からなる粉末状、ロッド状等の基材試料を保持した容器を可動させて、この試料を流動させる、(B)流動時に紫外線を照射する、(C)紫外線照射によって生成した系内の活性酸素を、容器内に拡散させると共に容器外に拡散させる、(D)任意に、容器内に酸化を促進する過酸化水素等のガスを導入する、ことにより基材表面を処理する。例えば、試料保持管2、試料保持管固定治具3、回転導入器4、真空ポンプ6等を備える真空容器5、及び酸化促進ガス及びガス導入系、等を具備する装置にて行うことができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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