超電導体の製造方法

開放特許情報番号
L2004000645 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2004/1/23
最新更新日
2015/9/9

基本情報

出願番号 特願2002-136185
出願日 2002/5/10
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2003-327496
公開日 2003/11/19
登録番号 特許第3851948号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 超電導体の製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 高い臨界電流密度を達成でき、長尺・大面積の基材に対しても製膜が容易であり、電力ケーブル、線材等として広い分野で利用される。
目的 従来の塗布熱分解法における問題点を克服し、エピタキシャル配向した希土類123型超電導体膜を低められた温度での熱処理が可能な超電導体の製造方法の提供。
効果 耐熱性の弱い基材上への超電導膜形成が容易になると共に、熱膨張率の差異に基づくクラックの発生を低減し、より大きい膜厚の膜を作製でき、その工業的利用価値は極めて大きい。
技術概要
 
炭酸バリウムまたはフッ化バリウムとイッテルビウム酸化物と銅酸化物の混合物からなる前駆体膜を基材上に形成し、次に前駆体膜を、酸素分圧0.25〜1atmの高酸素分圧雰囲気下で温度675〜800℃の範囲にて熱処理を行いYbBa↓2Cu↓4O↓8を形成させ、酸素分圧1×10↑−5〜1×10↑−3atmの低酸素分圧下で温度675〜850℃の範囲にて熱処理を行い正方晶YbBa↓2Cu↓3O↓6を形成させ、及び酸素分圧0.2〜1atmの高酸素分圧下で温度200〜500℃の範囲にて熱処理を行い斜方晶YbBa↓2Cu↓3O↓(7−y)を形成させ熱処理を行い、エピタキシャル配向したYbBa↓2Cu↓3O↓(7−y)膜を形成させることにより、超電導体を製造する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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