半導体装置の製造方法および絶縁膜形成装置

開放特許情報番号
L2004000023
開放特許情報登録日
2004/1/9
最新更新日
2015/9/9

基本情報

出願番号 特願2003-344345
出願日 2003/10/2
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-109396
公開日 2005/4/21
登録番号 特許第4164575号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 絶縁膜形成装置、スイッチング素子、金属−酸化膜−半導体電界効果型トランジスタ
目的 半導体基板側と絶縁膜との間の界面欠陥を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性を優れたものとすることができる半導体装置の製造方法および絶縁膜形成装置の提供。
効果 酸素による酸化の進行を極端に減少させることができ、それによって半導体基板側と絶縁膜との間の界面欠陥を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性を優れたものとすることができる。
技術概要
この技術では、絶縁膜の形成工程を含む半導体装置の製造方法において、絶縁膜形成の一工程として、不活性ガスにより希釈した0.5%以上20%以下の一酸化窒素ガスを含む、不活性ガスと一酸化窒素ガスの混合ガス雰囲気中での熱処理を含むものとする。また、絶縁膜は、最上層が炭化珪素膜である半導体基板上に形成してもよい。さらに不活性ガスがAr(アルゴン)であることが好ましい。さらに、熱処理の後、50℃/min以上の降温速度で冷却する絶縁膜の形成と熱処理は同一装置内で行う。そして、半導体基板に絶縁膜を形成する絶縁膜形成装置において、不活性ガスと一酸化窒素ガスの混合ガスを供給しその流量を制御するとともに、その混合ガス中の一酸化窒素ガスの濃度を任意に変更可能なガス供給手段を備え、半導体基板上に絶縁膜を形成するとともに、その絶縁膜にガス供給手段からの混合ガスを供給することで熱処理を行う。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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