微細構造形成実験用マスクパターン

開放特許情報番号
L2003009823
開放特許情報登録日
2003/12/19
最新更新日
2015/9/9

基本情報

出願番号 特願2003-314049
出願日 2003/9/5
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-085875
公開日 2005/3/31
登録番号 特許第3762999号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 微細構造形成実験用マスクパターン
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、表面処理
適用製品 単結晶シリコンの表面にマスクとして機能する領域を作成し、その後のエッチングにより微細な構造を形成する技術、半導体製造、単結晶シリコンウエハ
目的 単結晶シリコン材料表面にエッチングマスクとして機能する表面を形成し、その後エッチング液を用いてマスク以外の部分を溶解して、ナノメータスケールの微細構造を形成する加工法における、加工条件に対するエッチングレート等の基礎的データを収集するための実験を行う際に、エッチングによって生じた絶対的な高さの変化を容易に、且つ正確測定することの実現。
効果 マスク部及びマスク部以外のエッチングレートを基準面に基づいて正確に測定でき、FFM加工及びFIB照射条件と、エッチングレートの関係等の種々の特性を容易に、且つ正確に把握できることから、目的とする形状を得るための条件を設定するための的確な指針を得られるという利点がある。
技術概要
この技術では、微細構造形成実験方法は、単結晶シリコン材料表面にエッチングマスクとして機能する微細構造表面を形成し、その後エッチング液を用いてマスク以外の部分を溶解して、ナノメータスケールの微細構造を形成する加工法における、加工条件に関する基礎的データを収集するための実験を行う際に、微細構造形成部分に近接してエッチングによる除去が全くなされない基準面を予め形成し、基準面を参照してマスク部及びエッチング部のエッチングレートを測定する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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