パルス磁場発生装置

開放特許情報番号
L2003009816
開放特許情報登録日
2003/12/19
最新更新日
2015/9/9

基本情報

出願番号 特願2003-312705
出願日 2003/9/4
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-085300
公開日 2005/3/31
登録番号 特許第4336773号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 パルス磁場発生装置
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 磁気記録媒体、電子のスピン状態、スピンエレクトロニクス、スピン状態の制御、パルス磁場の発生、パルス幅の短いパルス磁場
目的 ピコ秒程度の立ち上がり時間を持つパルス磁場を発生させることができるパルス磁場発生装置の提供。
効果 フェリ磁性体にフェムト秒からピコ秒程度の時間幅を持つパルス光を照射することにより、フェリ磁性体に磁化の変化を起こし、ピコ秒程度の立ち上がり時間を持つパルス磁場の発生を可能とする。
技術概要
この技術は、パルス磁場発生装置において、P型またはN型のフェリ磁性体と、このフェリ磁性体にフェムト秒からピコ秒程度の時間幅を持つパルス光を照射するパルス光発生装置と、このパルス光発生装置からのパルス光を照射することにより、フェリ磁性体に磁化の変化を起こしパルス磁場を発生させる手段とを具備する。P型のフェリ磁性体はFeCr↓2S↓4とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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