光触媒機能と低放射率特性を併せ持つガラス基材及びその製造方法

開放特許情報番号
L2003008569
開放特許情報登録日
2003/11/21
最新更新日
2015/9/8

基本情報

出願番号 特願2002-074432
出願日 2002/3/18
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2003-267756
公開日 2003/9/25
登録番号 特許第3896453号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光触媒機能と低放射率特性を併せ持つガラス基材及びその製造方法
技術分野 無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造、環境・リサイクル対策
適用製品 酸化チタン薄膜の結晶性や配向性を精密に制御して成膜することができ、暖房負荷軽減等の省エネルギーと、有害物質の除去等の環境浄化の広範囲な分野で利用される。
目的 酸化チタン薄膜を被覆し、低放射率特性と光触媒機能を併せ持つ多機能ガラスを実現する新規な構造を有するガラス基材及びその製造方法の提供。
効果 酸化チタン薄膜の表面形態を高精度に制御することができ、良好な低放射率特性と十分高い光触媒機能を併せ持ち、その工業的利用価値は極めて大きい。
技術概要
ガラス11表面上に、表面凹凸を有する、透明導電性材料12からなり、フッ素が添加された酸化錫、アンチモンが添加された酸化錫、アンチモンが添加されたインジウム錫酸化物、アルミニウムが添加された酸化亜鉛のうちのいずれかである低放射率特性薄膜を形成し、この低放射率特性薄膜上に、表面凹凸を有する光触媒層13としての、酸化チタン等の金属酸化物半導体膜を形成することにより、ガラス基材を製造する。尚、光触媒層13としての金属酸化物半導体膜が、ガラス基板の表面と反対の方向に延びている角錐形状の凸部を多数含む表面形態を有し、光触媒層13たる金属酸化物半導体膜の表面に露出している凸部の高さが50〜200nmである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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