均質な組成・組織を有する固体薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2003008391
開放特許情報登録日
2003/10/31
最新更新日
2015/9/8

基本情報

出願番号 特願2003-305752
出願日 2003/8/29
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-076059
公開日 2005/3/24
登録番号 特許第4168140号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 均質な組成・組織を有する固体薄膜の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 化合物半導体、太陽電池、磁性材料用薄膜材料などに利用される薄膜
目的 出発物質をレーザーアブレーション法で、基板の上に堆積させて、均質な組成・組織の固体薄膜を得る。
効果 出発原料の形成する均質な組成・組織を有する固体材料を用い、その組成及び組織を変動させずに、出発原料に対応した均質な組成・組織の固体薄膜が得られる。
技術概要
 
(A)熱融解性である均質な組成・組織の固体材料を出発原料とし、レーザーアブレーション法で、(B)基板の上に堆積させて、固体薄膜を得る。成分Aは金属(例えば、チタン、鉄)、合金(例えば、チタンーニッケルなどの合金)、熱可塑性高分子(例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン)、ポリマーアロイ、金属化合物などで、粉末状、塊状、フィルム状などであり、これらを加熱して融液とし、冷却用部材と接触させて凝固させ、レーザーアブレーション装置のターゲットホルダーの形状に合わせて成形・加工し、装置内に配置する。これに波長が180〜1100nm、出力が0.1〜10J/cm↑2のレーザー光を照射し薄膜を成分Bの上に堆積させる。成分Bには金属、セラミックス、半導体プラスチックスなどが用いられる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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