極微小光導波路およびその製造方法

開放特許情報番号
L2003008187
開放特許情報登録日
2003/10/17
最新更新日
2015/9/7

基本情報

出願番号 特願2002-008580
出願日 2002/1/17
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2003-207667
公開日 2003/7/25
登録番号 特許第3876303号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 極微小光導波路およびその製造方法
技術分野 電気・電子、その他
機能 機械・部品の製造、表面処理、その他
適用製品 光回路部品用、量子コンピュータ部品用極微小導波路
目的 光の回折限界を超えて微小サイズの光導波路に光伝搬させる装置および光の波長以下のサイズを有する光導波路を製造する方法を提供する。
効果 光通信等においてこれを用いれば、電子回路をより超高速・高効率な光回路に置き換えることも可能となる。
技術概要
本発明の極微小光導波路は、金属基板中に部分的に埋め込まれ、光の波長以下の幅と高さを有する酸化膜よりなることを特徴とする。また、金属基板がチタン、アルミニウム、銀等の異種金属の複合積層膜より形成されることを特徴とする。また、酸化膜の厚さまたは幅に変調を与えたことを特徴とする。また、本発明の極微小光導波路の製造方法は、図1のように金属基板表面を原子間力顕微鏡等の探針先端を用いて陽極酸化して酸化膜を形成することを特徴とする。また、印加電圧等の陽極酸化条件を制御することにより酸化膜の厚さまたは幅に変調を与えることを特徴とする。図2は酸化膜導波路構造の断面模式図を示し、ガラス基板1上に2種類の金属2と金属3を蒸着し、適当な印加バイアス電圧で金属3を部分的に陽極酸化し、極微小光導波路4を作製する。5は光入出力部である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 電子回路をより超高速・高効率な光回路に置き換えることも可能となり、また本発明の導波路ではその断面がスイッチング素子のサイズと同程度となるため、制御光率が格段に向上する。
改善効果2 金属中への光の滲み込みは小さいため、導波路コアを接近させても干渉が起きることはない。
改善効果3 酸化膜の厚さまたは幅に変調を与える(凹凸構造を適当に配置する)ことにより、変換効率、伝搬光の方向性などを自由に制御することが可能となる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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