出願番号 |
特願2002-031739 |
出願日 |
2002/2/8 |
出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
公開番号 |
特開2003-234470 |
公開日 |
2003/8/22 |
登録番号 |
特許第4565172号 |
特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
発明の名称 |
BeTe/CdSヘテロ界面を用いた量子井戸 |
技術分野 |
電気・電子 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
酸素を含む雰囲気中で用いるBeTe/CdSヘテロ界面の形成、これを用いた量子井戸に適用する。 |
目的 |
BeTe相とCdS相との間に特定の相を介在させることにより、両相間にヘテロ界面を形成する方法、及びCdS相に特定の物質をドーピングしてなる量子井戸を提供する。 |
効果 |
良質のBeTe/CdSヘテロ界面が形成でき、更に、ポテンシャルの高いBeTe相とポテンシャルの低いCdS相を組む合わせて、高性能の量子井戸を得ることができる。 |
技術概要
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BeTe相とCdS相の間に、ZnSe相を介在させるBeTe/CdSヘテロ界面の形成方法であって、更に、その際、CdS相にZnCl↓2等の電子供与物質をドーピングしてなる量子井戸とする。BeTe相の厚さが4原子層、CdS相の厚さが3原子層、ZnSe相の厚さが2原子層とするのが好ましい。尚、例えば、高真空下において、GaAs基板上に加熱蒸着源からBeとTeの分子線を照射してBeTe相を形成し、次いでZn分子線を照射した後Se分子線を照射してZnSe相を形成し、更に加熱蒸着源からのCdS分子線を照射してCdS相を形成することにより、BeTe/CdSヘテロ界面を形成する。電子供与物質のドーピングは、ZnSe相の形成を行う際に、ZnCl↓2を分子線として照射し、CdS及びZnSe相にCl原子を導入することにより行う。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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