| 出願番号 |
特願2002-031739 |
| 出願日 |
2002/2/8 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2003-234470 |
| 公開日 |
2003/8/22 |
| 登録番号 |
特許第4565172号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
ＢｅＴｅ／ＣｄＳヘテロ界面を用いた量子井戸 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
酸素を含む雰囲気中で用いるＢｅＴｅ／ＣｄＳヘテロ界面の形成、これを用いた量子井戸に適用する。 |
| 目的 |
ＢｅＴｅ相とＣｄＳ相との間に特定の相を介在させることにより、両相間にヘテロ界面を形成する方法、及びＣｄＳ相に特定の物質をドーピングしてなる量子井戸を提供する。 |
| 効果 |
良質のＢｅＴｅ／ＣｄＳヘテロ界面が形成でき、更に、ポテンシャルの高いＢｅＴｅ相とポテンシャルの低いＣｄＳ相を組む合わせて、高性能の量子井戸を得ることができる。 |
技術概要
 |
ＢｅＴｅ相とＣｄＳ相の間に、ＺｎＳｅ相を介在させるＢｅＴｅ／ＣｄＳヘテロ界面の形成方法であって、更に、その際、ＣｄＳ相にＺｎＣｌ↓２等の電子供与物質をドーピングしてなる量子井戸とする。ＢｅＴｅ相の厚さが４原子層、ＣｄＳ相の厚さが３原子層、ＺｎＳｅ相の厚さが２原子層とするのが好ましい。尚、例えば、高真空下において、ＧａＡｓ基板上に加熱蒸着源からＢｅとＴｅの分子線を照射してＢｅＴｅ相を形成し、次いでＺｎ分子線を照射した後Ｓｅ分子線を照射してＺｎＳｅ相を形成し、更に加熱蒸着源からのＣｄＳ分子線を照射してＣｄＳ相を形成することにより、ＢｅＴｅ／ＣｄＳヘテロ界面を形成する。電子供与物質のドーピングは、ＺｎＳｅ相の形成を行う際に、ＺｎＣｌ↓２を分子線として照射し、ＣｄＳ及びＺｎＳｅ相にＣｌ原子を導入することにより行う。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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