BeTe/CdSヘテロ界面の形成方法及びこれを用いた量子井戸

開放特許情報番号
L2003008123
開放特許情報登録日
2003/10/17
最新更新日
2015/9/7

基本情報

出願番号 特願2002-031739
出願日 2002/2/8
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2003-234470
公開日 2003/8/22
登録番号 特許第4565172号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 BeTe/CdSヘテロ界面を用いた量子井戸
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸素を含む雰囲気中で用いるBeTe/CdSヘテロ界面の形成、これを用いた量子井戸に適用する。
目的 BeTe相とCdS相との間に特定の相を介在させることにより、両相間にヘテロ界面を形成する方法、及びCdS相に特定の物質をドーピングしてなる量子井戸を提供する。
効果 良質のBeTe/CdSヘテロ界面が形成でき、更に、ポテンシャルの高いBeTe相とポテンシャルの低いCdS相を組む合わせて、高性能の量子井戸を得ることができる。
技術概要
BeTe相とCdS相の間に、ZnSe相を介在させるBeTe/CdSヘテロ界面の形成方法であって、更に、その際、CdS相にZnCl↓2等の電子供与物質をドーピングしてなる量子井戸とする。BeTe相の厚さが4原子層、CdS相の厚さが3原子層、ZnSe相の厚さが2原子層とするのが好ましい。尚、例えば、高真空下において、GaAs基板上に加熱蒸着源からBeとTeの分子線を照射してBeTe相を形成し、次いでZn分子線を照射した後Se分子線を照射してZnSe相を形成し、更に加熱蒸着源からのCdS分子線を照射してCdS相を形成することにより、BeTe/CdSヘテロ界面を形成する。電子供与物質のドーピングは、ZnSe相の形成を行う際に、ZnCl↓2を分子線として照射し、CdS及びZnSe相にCl原子を導入することにより行う。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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