窒化珪素ウィスカーの製造法

開放特許情報番号
L2003008061
開放特許情報登録日
2003/10/10
最新更新日
2003/10/10

基本情報

出願番号 特願2000-323460
出願日 2000/10/24
出願人 古河機械金属株式会社
公開番号 特開2002-128598
公開日 2002/5/9
発明の名称 窒化珪素ウィスカーの製造法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 アスペクト比の高い窒化珪素ウィスカーを製造することのできる窒化珪素ウィスカーの製造法
目的 アスペクト比の高い窒化珪素ウィスカーを低コストで製造することのできる窒化珪素ウィスカーの製造法の提供。
効果 製造工程が単純化でき、アスペクト比の高い窒化珪素ウィスカーを低コストで製造することが可能となる。この方法で製造された窒化珪素ウィスカーは、アスペクト比が高いので、セラミックス、金属やプラスチック等の複合強化材として、耐久性、耐熱性、耐衝撃性等の向上に大きな効果を発揮できる。
技術概要
この技術における窒化珪素ウィスカーの製造法は、炭素源を溶媒に分散させてから塗布することにより、シリカを含有するセラミックス材料の表面を炭素源で塗膜状に被覆して原料となし、この原料を反応ガス中で1300〜1500℃の温度にて反応させる。シリカを含有するセラミックス材料としては、1300〜1500℃の反応温度領域で破壊、融解現象等を起こさず、形状を維持するものであれば全て使用することができる。好適なセラミックス材料として、例えば、シリカ−アルミナ磁器であるムライト製磁器やアルミナ−ムライト製磁器等が挙げられるが、表面を炭素源で塗膜状に被覆して原料とするため、気孔率の高いアルミナ−ムライト製磁器を使用する方が炭素源との接触面積が大きくとれ反応性が向上するので、より好ましい。炭素源としては、カーボンブラックあるいは黒鉛粉末が適しており、その結晶構造と一次および二次粒子径に起因する反応性からカーボンブラックがより好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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