テルル酸化物を含む超薄膜のパターニング方法及びこれによって得られたテルル酸化物を含む超薄膜

開放特許情報番号
L2003007462
開放特許情報登録日
2003/10/3
最新更新日
2015/9/4

基本情報

出願番号 特願2003-272164
出願日 2003/7/9
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-033071
公開日 2005/2/3
登録番号 特許第3932361号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 テルル酸化物を含む超薄膜のパターニング方法及びこれによって得られたテルル酸化物を含む超薄膜
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 電子材料、光学材料、センサー、電気製品及び測定機器等に用いられるナノメーターレベルの材料
目的 酸化物材料部分構築において、操作性に富む光を用いて、酸素源が存在しているにもかかわらず、固体表面上において光照射前には酸化膜は生成されず、弱い光照射を行った部分のみが選択的に酸化されるという省エネ型の酸化超薄膜の作製方法の提供。
効果 光を用いて空気(大気)中で簡便に製作ができ、ローコスト、省エネ型の絶縁性、圧電性、誘電性に優れた超薄膜を提供することができる。また、より微細な部品加工において役立つ可能性の高いものであり、将来の製品の軽量化、省エネルギー化に向けて貢献できる。
技術概要
この技術では、ジブチルジテルリド化合物をトルエンに溶解し、濃度約2mM(2x10↑(−3)mol/L)の溶液を調製する。暗所下この溶液に金を蒸着した基板を浸し、約3時間放置する。その基板を暗所下引き上げ、別に用意した純粋溶媒トルエンもしくはエーテルでリンス洗浄し空気をふきつけ乾燥させる。この操作により厚み約1nmの絶縁超薄膜が形成される。形成した膜にプラスチック性のマスクをのせ、それに蛍光灯の光を5分照射したところ、光によるパターニングがKFM測定により観察された。又、得られた膜部分の抵抗値測定を、マイクロコンタクト原子間力顕微鏡(AFM)により測定したところ、膜厚が1nmと非常に薄いにもかかわらず、10↑(11)Ω以上の抵抗値を示した。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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