薄膜作製装置及び方法

開放特許情報番号
L2003006550
開放特許情報登録日
2003/8/22
最新更新日
2015/9/4

基本情報

出願番号 特願2003-178012
出願日 2003/6/23
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2005-015817
公開日 2005/1/20
登録番号 特許第4696232号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 薄膜作製装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 新機能デバイス、薄膜材料作製装置、高速電子デバイス、エピタキシャル膜、太陽電池、光センサ、アモルファス膜
目的 基板、および蒸着線束中途に設けた網状電極への電圧印加により、蒸着原子を電界加速し運動エネルギーを増大させることで、エピタキシャル成長の低温化の促進と光劣化の原因となるアモルファス膜中弱結合を低減させ、また、堆積時に未結合手にとって終端基となりうる原子を照射することによって、キャリアトラップ準位となる未結合の膜中密度を低減させえる薄膜作製装置の提供。
効果 基板上に低温で半導体、金属、絶縁体、または誘電体物質を低温でエピタキシャル成長をさせて薄膜作製することができ、また光照射や電流注入に対して安定なアモルファス薄膜材料を作製することができる。
技術概要
この技術では、相互に接続した2個の超高真空槽を備えると共に、基板を保持するための基板ホルダを備える。また、薄膜材料を原子ビームとして蒸発させる蒸着装置を備えると共に、導入気体を解離し原子ビームとして基板上に照射する気体解離照射装置を備え、原子ビームを加速、かつ、または、収束させるための網状電極を備える。そして、基板ホルダを保持し、かつ、この基板ホルダの位置を調節し、かつ基板ホルダに電圧を印加できる構造を有するホルダ位置調節装置を備えると共に、基板ホルダを加熱するための基板ヒータを備え、また基板ホルダを製膜装置とロードロックの間で搬送する搬送マニピュレータを備える。そして、蒸着装置より蒸発した半導体分子ビームと、気体解離照射装置より射出した原子ビームを、基板上に、同時に照射することによって多種類の半導体薄膜を作製する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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