環状単磁区構造微小磁性体およびその製造方法又はそれを用いた磁気記録素子

開放特許情報番号
L2003006506
開放特許情報登録日
2003/8/22
最新更新日
2015/9/4

基本情報

出願番号 特願2003-160325
出願日 2003/6/5
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-363350
公開日 2004/12/24
登録番号 特許第4403264号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 環状単磁区構造微小磁性体およびその製造方法又はそれを用いた磁気記録素子
技術分野 無機材料、情報・通信、情報・通信
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 磁気記録素子、磁気ランダムアクセスメモリー
目的 ナノスケールの微小磁性体において、磁化の向きを制御可能にするとともに、書き換え及び書き込み回数の制限のない微小磁性体又はこの微小磁性体を用いたMRAMを提供する。
効果 セル面積の小型化が可能になりDRAMとの混載やDRAMとの代替の可能性が高い。
技術概要
本発明は、平板状の強磁性体からなり、その平面部形状は、線対称軸を有するとともに該線対称軸と垂直な方向に対しては非対称であって、平行外部磁界の消滅時に環状単磁区構造を示す。微小磁性体及びその微小磁性体を用いたMRAM(magnetic random access memory:磁気ランダムアクセスメモリー)又はそれらの製造方法を提供するものである。本発明の強磁性体は図1に示すように、外部磁界の磁場の方向を切り替えることでvortex構造における回転方向を制御できる。図2は、本発明の微小磁性体を用いて、磁気記録素子を構成する場合の原理を説明するための図である。本発明の磁性体を、薄い非磁性層2を挟んで上下2層に配置したものを複数平面的に配置した。下側の磁性体の層厚を大きくして固定層3として、上側の薄い磁性層をフリー層1としたものである。フリー層のvortex磁界の向きを外部磁界により制御することにより書き込みを行い、磁気抵抗効果を利用して、その磁化の向きを判定することにより読み出しを行う、磁気記録素子である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 セル面積の小型化が可能なため、DRAMとの混載やDRAMとの代替についても技術的な目処がたった。
改善効果2 多層配置も可能となり、更なる高集積化も期待される。
改善効果3 片方の磁化の向きを固定する為のピン層が必要なくなることから、MRAM等のデバイス製造のプロセスが簡略化し、集積密度に比して製造コストを低減できる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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