負性抵抗電界効果素子

開放特許情報番号
L2003006000
開放特許情報登録日
2003/8/8
最新更新日
2015/9/4

基本情報

出願番号 特願2003-146133
出願日 2003/5/23
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-349538
公開日 2004/12/9
登録番号 特許第3997301号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 負性抵抗電界効果素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 負性抵抗電界効果素子
目的 PVCR(ピーク・トゥ・バレー電流比:Peak−to−Valley Current Ratio)を特に高く取れる負性抵抗特性電界効果素子を提供する。
効果 これまでにない大きなPVCRを得ることができる負性抵抗特性電界効果素子を形成できる。
技術概要
本発明の負性抵抗電界効果素子は、図示するように、ゲート電極15への電圧印加に依る電界の存在の下、ドレイン電極に印加されるドレイン電圧により加速されたキャリアを高移動度チャネルから低移動度チャネルに遷移させることでドレイン電流に関し負性抵抗特性を呈する負性抵抗電界効果素子において、高移動度チャネル13を量子細線13、低移動度チャネル14を量子細線13と同一工程で作られた量子井戸層14とするものである。本発明では、低移動度チャネルは高移動度チャネルと同一工程で作製された同一素材のものとされるため、その配置は、図(B)〜(E)のようになる。ゲート電極15との距離を変えるためには、(B),(C)に示したように、ゲート電極15の方の幾何形状を勘案しても良いことはもちろんであるが、例えば(D)〜(E)に示すように、高移動度チャネル13に望む一端から対向端部に向けて、低移動度チャネル14が斜めに立ち上がるような形状に作られても良い。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 本発明の負性抵抗特性電界効果素子は、これまでにない大きなPVCRを得ることができる。
改善効果2 優秀な負性抵抗特性を呈しながら低消費電力での高周波発振器やメモリ等への応用が期待できる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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