ウルツ鉱型結晶層を含む積層体及びその製造方法

開放特許情報番号
L2003005986
開放特許情報登録日
2003/8/8
最新更新日
2015/9/4

基本情報

出願番号 特願2003-139506
出願日 2003/5/16
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-346336
公開日 2004/12/9
登録番号 特許第4117376号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ウルツ鉱型結晶層を含む積層体及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 高周波発振素子、高周波用フィルター、各種センサ、超音波発振器等の電子部品材料に有用なウルツ鉱型結晶化合物に適用する。
目的 基板/ウルツ鉱型結晶層(下地層)/機能性物質層/ウルツ鉱型結晶層の多層構造からなる積層体を提供する。
効果 機能性物質層の下地層として予めウルツ鉱型結晶層を設けることにより、機能性物質層の結晶構造に関わらず、機能性物質層の上に結晶性、結晶配向性が制御されたウルツ鉱型結晶層の形成が可能になる。
技術概要
基板1上に、ウルツ鉱型結晶構造化合物からなる第1のウルツ鉱型結晶層2と、第1のウルツ鉱型結晶層2の全領域を覆った機能性物質層3と、機能性物質層3を覆ったウルツ鉱型結晶構造化合物からなる第2のウルツ鉱型結晶層4とが形成された積層体にする。第1、第2のウルツ鉱型結晶層2、4は、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、酸化亜鉛等の化合物を主成分として含有するのが好ましい。この積層体は、例えば単結晶、多結晶、アモルファス等の基板1上に、第1のウルツ鉱型結晶層2を形成した後、機能性物質層3を形成し、次いでこの機能性物質層3の上に第2のウルツ鉱型結晶層4を形成する工程を経ることにより製造される。その際、少なくとも1つの工程を、物理的または化学的気相成長法により行うようにする。これにより、例えば、AlN/Mo/AlN/Si積層体のX線回折において、ロッキングカーブ半値幅2.54°、基板に対してc軸が垂直に配向した第2のAlN膜が得られる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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