有機半導体デバイス

開放特許情報番号
L2003005967
開放特許情報登録日
2003/8/8
最新更新日
2015/9/3

基本情報

出願番号 特願2003-127299
出願日 2003/5/2
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2004-335610
公開日 2004/11/25
登録番号 特許第4192236号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 太陽電池
技術分野 電気・電子、有機材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 有機半導体デバイス、有機半導体太陽電池
目的 良好な特性を有するn型有機半導体を提供できるようにして、良好な特性を有する有機半導体太陽電池を提供する。
効果 Mgを含有する電極からMgドーピングによって形成したn導電型有機半導体を用いて半導体デバイスを構成するので、良好な特性のn導電型有機半導体を用いた半導体デバイスを提供できる
技術概要
本発明では、図示するようなn導電型の有機半導体層2を有する半導体デバイスにおいて、n導電型の有機半導体層にはMgがドーパントとして含まれており、かつ、ドーパントであるMgはn導電型の有機半導体層の一方の面に形成されたMgを含む材料から構成されるn極電極4、4↓1からドープされる半導体デバイスを提供する。そして、好ましくは、n導電型の有機半導体層の他方の面にはn導電型の有機半導体層にショットキー接触するショットキー電極(ショットキー接触するショットキー電極の例、即ちショットキー接合は図示せず)またはn導電型の有機半導体層とpn接合を形成するp導電型の有機半導体層1が形成される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 Mgを含有する電極からMgドーピングによって形成したn導電型有機半導体を用いて半導体デバイスを構成するので、良好な特性のn導電型有機半導体を用いた半導体デバイスを提供できる。
改善効果2 本発明によるn導電型有機半導体を用いて太陽電池を構成する場合には、低コストの有機半導体太陽電池の特性を向上させることができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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