炭化珪素薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2003005180
開放特許情報登録日
2003/6/13
最新更新日
2015/9/3

基本情報

出願番号 特願2001-299608
出願日 2001/9/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2003-092263
公開日 2003/3/28
登録番号 特許第3550665号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 炭化珪素薄膜の製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、無機材料
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 高温・高放射線等の極限環境においても使用できる次世代の半導体に適用。
目的 低エネルギーの特定のイオンを用いることにより、シリコンウエハを1000℃より高い温度に加熱することなく、炭化珪素薄膜を製造する方法を提供。
効果 例えばストリーク形状を含むRHEEDを示す等、高品質の単結晶炭化珪素薄膜が形成でき、また、特定の同位体のみを含むイオンを照射すると熱伝導率などの優れた薄膜を得ることができる。
技術概要
好ましくは300〜1000℃の温度に保持したシリコンウエハに、(A)炭素を含むイオンと珪素を含むイオンとを、低エネルギーで、同時または交互に照射するか、または、(B)炭素を含むイオンを低エネルギーで照射し、シリコンウエハ表面を炭化珪素化した後に、炭素を含むイオンと珪素を含むイオンとを、同時または交互に照射する、ことにより、シリコンウエハ上に単結晶炭化珪素薄膜を形成させる炭化珪素薄膜の製造法。その際、炭素を含むイオン及び/または珪素を含むイオンのエネルギーは、1〜500eVにし、またイオンの電流量は、0.1μA/cm2〜10mA/cm2にする。また、炭素を含むイオンは、その中に含まれる質量分離された炭素が、質量数12または質量数13の炭素のみにし、珪素を含むイオンは、その中に含まれる質量分離された珪素が、質量28、質量数29、質量数30の珪素のみにする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT