α−SiCエピタキシャル薄膜の作製方法及びα−SiCヘテロエピタキシャル薄膜

開放特許情報番号
L2003005176
開放特許情報登録日
2003/6/13
最新更新日
2015/9/3

基本情報

出願番号 特願2001-293377
出願日 2001/9/26
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2003-095796
公開日 2003/4/3
登録番号 特許第3882030号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 α−SiCエピタキシャル薄膜の作製方法及びα−SiCヘテロエピタキシャル薄膜
技術分野 電気・電子、情報・通信、機械・加工
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、表面処理
適用製品 高温半導体エレクトロニクスの基盤となるα−SiCエピタキシャル薄膜の作製に適用。
目的 α−SiCエピタキシャル薄膜を低温で、しかもSiC単結晶基板以外の異種基板上に作製する方法を提供。
効果 例えば、サファイア等の安価な異種基板上に、約800℃の低い基板温度で、しかも簡便な装置を用いて、α−SiCのヘテロエピタキシャル薄膜を形成できる。
技術概要
アルゴン等の低圧不活性ガス雰囲気中で、高温相のα−SiCのターゲットに、パルスレーザを照射して、ターゲットを蒸発(アブレーション)させ、加熱した基板上に堆積させることにより、α−SiCエピタキシャル薄膜を作製する方法。その際、ターゲットは、α−SiCの単結晶体、又は多結晶体を使用し、また基板は、α−SiCの単結晶基板以外の異種単結晶基板(例:サファイア)を用いるのが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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