α−SiCのヘテロエピタキシャル薄膜の作製方法及び同方法で作製した薄膜

開放特許情報番号
L2003005173
開放特許情報登録日
2003/6/13
最新更新日
2015/9/3

基本情報

出願番号 特願2001-292283
出願日 2001/9/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2003-095795
公開日 2003/4/3
登録番号 特許第4069198号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 α−SiCのヘテロエピタキシャル薄膜の作製方法及び同方法で作製した薄膜
技術分野 電気・電子、情報・通信、機械・加工
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、表面処理
適用製品 エレクトロニクス、オプトニクス等の分野におけるα−SiCの多層積層薄膜による電子・磁気・光学等の諸物性を有する素子化等に適用。
目的 α−SiCターゲットと高温ヒータ及び耐高温特性を持つ基板を用いるパルスレーザアブレーション方法により、α−SiCの結晶性薄膜等を作製する方法を提供。
効果 この方法により、α−SiC薄膜、半導体化したα−SiC、他の半導体との多層積層薄膜等を作製できるので、これまでのα−SiC半導体や素子の作製、開発において使用できる基板が単結晶α−SiC基板に限定されるという問題をブレークスルーできる。
技術概要
パルスレーザをターゲット物質に照射してその物質を瞬間・パルス的にイオンクラスター等の微粒子に分解・剥離させ、それを高温(例:800〜1300℃)に温度制御したSiC以外の無機の単結晶基板(例:酸化マグネシウム、サファイア、シリコン)ないしガラス基板に当てて堆積させ、その基板上にターゲット物質の薄膜を作製する方法であって、α−SiCのターゲット、ないし他の元素の微量添加によりp型及びn型に半導体化させたα−SiCのターゲットを用いて、あるいはこれらのターゲットを交互に、ないしは同時に用いて、分解・剥離せせて基板上にα−SiC結晶を再構築することにより、それらの単結晶性(エピタキシャル)薄膜(ヘテロ結晶性薄膜)、一軸配向性薄膜、ないし多結晶性薄膜を作製する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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