半導体基板の表面不活性化方法及び半導体基板

開放特許情報番号
L2003003102
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/9/1

基本情報

出願番号 特願2001-134113
出願日 2001/5/1
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-329692
公開日 2002/11/15
登録番号 特許第3496058号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体基板の表面不活性化方法及び半導体基板
技術分野 電気・電子
機能 表面処理
適用製品 単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板
目的 シリコン基板等の半導体基板の表面を不活性化し、基板表面でのキャリアの再結合低減の実現。
効果 一層、シリコン基板等の半導体基板の表面を不活性化し、基板表面でのキャリアの再結合を低減することができる。また、より基板表面の影響を受けないバルクライフタイムの評価を可能とすることができる。
技術概要
 
この技術では、シリコン基板などの半導体基板の一部又は全部を、キンヒドロンまたは準キンヒドロンを含む溶液に浸すことにより表面を処理する。半導体基板としては、シリコン基板に限らず適宜の材質の基板を用いることができ、さらにp型、n型、p↑−型、n↑+型等の適宜の型、適宜の厚さ、単結晶又は多結晶、不純物濃度、結晶方位、比抵抗、フローティングゾーン(FZ)等の各種製法によるものなどのあらゆるものを用いることができる。ここで、溶液は、有機溶媒及び/又は水を溶媒として含む。有機溶媒は、たとえば、エタノール又はメタノールなどのアルコール類、ジエチルエーテル、エーテル又はメーテル等のエーテル類、ベンゼン類のいずれか又は複数を含むことができる。また、キンヒドロンは、溶液中でキノンとヒドロキノンとに一部または全部が解離した状態であってもよいし、また、溶液中でセミキノンに一部または全部が解離した状態であってもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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