結晶主軸から傾けて切断した疑似整合エピタキシャル成長基板

開放特許情報番号
L2003003100
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/9/1

基本情報

出願番号 特願2001-130884
出願日 2001/4/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-321996
公開日 2002/11/8
登録番号 特許第3834608号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 疑似整合エピタキシャル成長基板
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 格子定数、薄膜結晶、傾斜角、テンプレート基板結晶方位
目的 結晶主軸から傾けて切断した疑似整合させたエピタキシャル成長テンプレート基板及びその製造方法の提供。
効果 テンプレート基板の上に歪のない薄膜結晶を成長させることができる。そして、格子不整合の大きいテンプレート基板であり、基板の選択範囲を広くすることができる。
技術概要
この技術では、薄膜がテンプレート基板の上に形成される際の傾斜角度を計算により導き出すことができる。そして、得られたテンプレート基板の上に形成された薄膜に関し、傾斜している角度を、テンプレート基板から切断して、表面をオフアクシスな状態として、結晶主軸から傾けて切断した疑似整合させたエピタキシャル成長テンプレート基板を得ることができる。ここで、テンプレート基板の横方向(面内)主軸の基本(単位)格子間隔をd↓(xs)、これに対応する膜結晶のそれをd↓(xf)、テンプレート基板面の垂直方向の基本(単位)格子間隔をd↓(zf)とすると、傾斜角度は式により計算することができる。式中、p及びfは次の事柄を表す。p=d↓(zf)/d↓(xf) f=d↓(xf)/d↓(xg)νの値の選択に関しては、f<1のときは、0及び正の整数であり、f>1のときは負の整数であり、角度は現実的な角度の範囲で、なるべく小さな絶対値が選ばれる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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