不純物イオン注入層の活性化法

開放特許情報番号
L2003003070
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/9/1

基本情報

出願番号 特願2001-090747
出願日 2001/3/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-289550
公開日 2002/10/4
登録番号 特許第3820424号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 不純物イオン注入層の活性化法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 イオン注入による伝導性制御が可能なワイドバンドギャップ半導体における不純物イオン注入層の活性化法
目的 SiC、ダイヤモンド、GaN等のワイドギャップ半導体への不純物イオン注入層の活性化を効率よく行い、実デバイスプロセスへの応用を可能にする手法の提供。
効果 高温加熱及び多段階パワー密度レーザ光照射の相乗効果により、かなり深いイオン注入層においても通常のSiCプロセスで用いられている炉アニール以上の活性化率が得ることができる。
技術概要
 
この技術では、所定の不純物元素をイオン注入によりドーピングした半導体材料に対して、その半導体材料のバンドギャップと同じか、またはそれよりも高いエネルギーのレーザ光を、その半導体材料を加熱した状態で照射する。さらに、照射するレーザ光のパワー密度を段階的に変化させながら照射することにより半導体材料の表面構成元素の蒸発を防ぎつつ、より深い位置に注入された不純物を電気的に活性化させる。イオン注入は、室温または100℃〜1000℃の高温環境下において行われる。特に、半導体デバイスにおける電流の出入り口になるオーミック電極を作製する際に、イオン注入による局所的な高濃度不純物層が必要な場合においては、高濃度イオン注入による残留欠陥を極力少なくするために高温においてのイオン注入が望ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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