強誘電体半導体記憶デバイス

開放特許情報番号
L2003003061
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/9/1

基本情報

出願番号 特願2001-075013
出願日 2001/3/15
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-280522
公開日 2002/9/27
登録番号 特許第3502909号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 強誘電体半導体記憶デバイス
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 エレクトロニクス・半導体デバイスの分野においてデータを記憶するメモリデバイス
目的 強誘電体層に出来る分極量が大きく、分極状態が安定であり、データ保持時間を増加することの実現。
効果 情報保持時間の長い安定なデータ記憶デバイスを実現できる。
技術概要
この技術では、MFBS構造の隣にMFBSと強誘電体層を共通とし、金属がその強誘電体層の両側を挟んだキャパシタ(MFMキャパシタ)を置き、MFMキャパシタにおいて形成される安定な分極状態を利用する。MFBSの両端に与える電圧と同じ電圧を、MFMの両端に与えると、大きい分極と大きい抗電圧を得る。これが引き金となり、近接するMFBS中の強誘電体層における電気分極の形成が促進される。残留分極量は大きくなり、抗電圧も大きくなる。抗電圧の増加はメモリとしての安定動作をもたらし低電圧動作が可能となる。分極量の増加と抗電圧の増加が相乗して、データの記憶保持時間を増加させている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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