メソポーラスSiO2薄膜を用いてSPV型(表面光電圧法)NOxガスセンサー

開放特許情報番号
L2003002989
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/31

基本情報

出願番号 特願2001-049001
出願日 2001/2/23
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-250713
公開日 2002/9/6
登録番号 特許第3600856号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 メソポーラスSiO2薄膜を用いたSPV型(表面光電圧法)NOXガスセンサー
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 検査・検出
適用製品 メソポーラスSiO↓2薄膜、NOxガスセンサー検出素子、廃棄ガス計測・監視素子、NOxガスセンサー素子、環境汚染
目的 三次元構造を有するメソポーラスSiO↓2コーティングSi↓3N↓4/Si薄膜の実現。
効果 高比表面積を持つ、かつ規則的な構造を持つ均質なナノメートルオーダーのメソポーラス膜(MPF)を活用し、小型、軽量、簡便な環境計測が可能な高感度センサーの基礎技術を開発できる。
技術概要
この技術では、「エチレンオキサイドープロピレンオキサイドーエチレンオキサイド」ブロックコポリマーとオルトケイ酸テトラアルキルとエタノール溶液中に混合して、HClで低pHに調整しながら加水分解を行ってゾル溶液とし、基板にゾル溶液を滴下する。そして、基板を高速回転して、溶剤を蒸発し、ゲル化することにより基板上に三次元構造を有する有機無機複合SiO↓2薄膜を形成する。次いで薄膜を燒結することにより三次元構造を有するメソポーラスSiO↓2薄膜を得る。基板は、シリコン基盤、表面にSi↓3N↓4膜を蒸着したシリコン基盤であるものとする。またオルトケイ酸テトラアルキルがオルトケイ酸テトラエチル{Tetraethoxysilane(TEOS)}であるものとする。そして、メソポーラスSiO↓2の表面と基盤の裏側に電極を設けて、表面光電圧法NOxガスセンサー素子を構成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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