透明導電基板

開放特許情報番号
L2003002974
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/31

基本情報

出願番号 特願2001-044019
出願日 2001/2/20
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-245871
公開日 2002/8/30
登録番号 特許第3607944号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 透明導電基板
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 酸化亜鉛層、透明導電性基板、発光素子
目的 低抵抗であり、可視光を透過する禁制帯幅の大きな酸化亜鉛透明結晶を得ることの実現。
効果 低抵抗であり、可視光を透過する禁制帯幅の大きな酸化亜鉛透明結晶が得ることができる。
技術概要
この技術では基板としてサファイアa面基板を用い、作製中は、真空圧1×10↑(−5)Torr、温度300℃の状態で、オゾンを気体で4×10↑(−5)Torrのフラックスで照射する。オゾンの注入速度は、蒸発する液体オゾンの蒸気圧でコントロールする。Znは、クヌーセンセル(Kセル)と呼ばれる熱昇華型分子線源より供給する。その後、最低でも1時間で1マイクロメートル以上の厚みの酸化亜鉛を形成する。ここではサファイアa面基板を用いて酸化亜鉛高速成長を行っているが、作製される酸化亜鉛層はc軸に配向しているため、劈開により基板と分離することが可能である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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