シリコン系薄膜の製造法

開放特許情報番号
L2003002963
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/31

基本情報

出願番号 特願2001-028430
出願日 2001/2/5
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-141292
公開日 2002/5/17
登録番号 特許第3911555号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 シリコン系薄膜の製造法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 プラズマCVD法、シリコン系薄膜、シリコン系絶縁薄膜、ノンドープ
目的 ノンドープながら小数キャリアの寿命の短長が制御できるシリコン系薄膜の製造法の提供。
効果 この技術によれば、櫛形電極構造のプラズマCVD装置を使用して、電極から僅かに離れた距離に絶縁基板を置き、その絶縁基板の裏面に施した導電性薄膜に、低周波数の交番電位を印加した成膜方法を用いることにより、シリコン系の絶縁薄膜が実現できる。そのため、約500MV/cmと優れた耐電圧のシリコン系とシリコン窒化膜の合成絶縁薄膜が実現できる。
技術概要
この技術では、シリコン系薄膜の成膜方法は、プラズマCVD法によって絶縁基板表面にシリコン系薄膜を形成する方法において、基板に自己加熱および外部温度を与え、かつ絶縁基板の表面に堆積させるシリコン系薄膜の膜質の機能を制御するため、任意の周波数、任意の電位、任意の波高の交番電位を印加することができる。望ましくは波高値が±100〜500Vで、周波数が0.1〜55Hzの鋸波を用いることができる。ここで、基板を、成膜中に前記基板のプラズマによる自己加熱と外部強制加熱をかねることができる位置に配置することが好ましく、基板を、プラズマ生成のために櫛形電極の端部から10mmの距離以上離れた位置に設置することが好ましい。交番電位を基板の裏面に形成した導電性薄膜を介して印加するとよく、導電性薄膜は、金属板、スパッタ、レーザーアブレーション、電子ビーム蒸着、イオン注入、導電性ペイント、メッキ、導電性高分子もしくは金属蒸着等によって形成するとよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT