接触状態観察方法およびその装置

開放特許情報番号
L2003002934
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/31

基本情報

出願番号 特願2001-005733
出願日 2001/1/12
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-214103
公開日 2002/7/31
登録番号 特許第3427186号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 接触状態観察方法およびその装置
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 計測システム、荷電粒子捕集素子、磁気記録ディスク
目的 固体と固体の動的接触部より発生する荷電粒子とAE信号を同時計測することにより、摩擦面のミクロな破壊状態、摩耗新生面の発生状態、摩耗新生面と周囲分子の相互作用状態、マイクロプラズマの発生状態などの情報により、摩擦の動的接触状態を多角的に観察できる方法およびその装置の提供。
効果 摩擦面のミクロな破壊状態と、新生面と周囲分子の相互作用状態と、マイクロプラズマの発生状態を同時に計測できるという格別の効果を奏するものである。
技術概要
この技術では、スライダーと回転する被検体が摺動接触していて、その摩擦接触点で発生するAE信号はアームを伝搬していき、アームの他端に取り付けられたAE信号センサで検出される。このAE信号センサで検出されたAE信号は、アンプにより増幅され、積算されて、A/Dコンバータによりそのアナログ信号がデジタル信号に変換される。一方、荷電粒子捕集素子と荷電粒子捕集素子により捕捉された荷電粒子の信号は、それぞれ荷電粒子検出器と荷電粒子検出器により検出されたのちアンプにより増幅、積算されたのち、A/Dコンバータによりアナログ信号をデジタル信号に変換される。これらのAE信号と荷電粒子信号は共通のトリガ回路用いて同時に取り込まれ、パソコンにより信号処理され、表示装置に表示される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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