結晶構造の制御された二酸化チタン系薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2003002926
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/31

基本情報

出願番号 特願2000-402369
出願日 2000/12/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-206164
公開日 2002/7/26
登録番号 特許第3550658号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 結晶構造の制御された二酸化チタン系薄膜の製造方法
技術分野 無機材料
機能 表面処理
適用製品 光電極、光電気化学特性
目的 簡単な工程により基材表面に、結晶構造の制御された二酸化チタン系薄膜、特にアナターゼ型の結晶構造を有する二酸化チタン系薄膜を形成する方法の提供。
効果 簡単な工程により基材表面に、結晶構造の制御された二酸化チタン系薄膜、特にアナターゼ型の結晶構造を有する二酸化チタン系薄膜を形成することができる。
技術概要
この技術は、減圧下に二酸化チタン又は貴金属/二酸化チタン混合物に、第一のレーザー及び第二のレーザーを時間差を設けて照射することにより、基材表面に二酸化チタン系薄膜を形成しているものである。貴金属には、白金が好適に用いられている。このような二酸化チタン系薄膜の製造に際しては、二酸化チタン系薄膜を形成する基材及びターゲットを内部に収容した反応室をパイプによって酸素ガス供給源に連結し、また真空ポンプにより減圧する。そして第一のレーザー装置(Nd:YAGレーザー)から発せられたレーザー光を、二色分離反射板を透過しレンズにより集光して反応室の窓からターゲットに焦点を合わせて照射させる。また、第二のレーザー装置(ArFエキシマレーザー)から発せられたレーザー光は、二色分離反射板により反射し、レンズにより集光して窓を通過してターゲットに照射させる。この際、第一と第二のレーザーを時間差を設けてターゲットに照射することによって、基材上に形成する二酸化チタン系薄膜の結晶構造を制御する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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