ZnO単結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2003002916
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/31

基本情報

出願番号 特願2000-394927
出願日 2000/12/26
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所、岡 邦彦
公開番号 特開2002-193698
公開日 2002/7/10
登録番号 特許第3548910号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ZnO単結晶の製造方法
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 直接遷移型半導体、青色・紫外発光材料、大型単結晶
目的 溶質である酸化亜鉛ZnOと、溶媒である酸化バナジウム及び/又は酸化硼素と混合して加熱融解したのち、融液から、酸化亜鉛ZnOの微結晶を種結晶上あるいは基板上に析出、成長させてなるZnO単結晶の製造方法の提供。
効果 望みの方向に任意の大きさの良質な単結晶が短時間に製造できる。
技術概要
この技術は、ZnOを初晶として析出させ得る組成範囲内の溶液を酸化亜鉛と酸化バナジウムと酸化硼素から調製し、その融液を降温させることにより融液中に析出してくるZnO微結晶を融液に接触させた種結晶上ならびに基板状に結晶化させ、これを溶液ひきあげ法ならびに溶媒移動帯溶融法によってZnO単結晶を製造している。また液相成長法によってZnO単結晶膜を製造している。ZnO単結晶を溶液ひきあげ法によって製造する場合、例えばZnOとV↓2O↓5をモル比にして78:22に混合して、その混合物100gを、発熱体を兼ねた白金るつぼに入れ、高周波加熱コイルによる誘導加熱方式により約1050℃まで加熱し溶融させたのち、種結晶であるZnO単結晶を融液表面に接触させる。融液を徐々に降温させると、融液中で最も温度の低い種結晶と接触している融液の界面にZnO微結晶が少しずつ析出してきて、種結晶上に結晶化し成長する。そこで成長した単結晶を融液から徐々に引き上げることにより、茶褐色のZnO単結晶を得る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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