半導体複合薄膜電極およびこれを用いた太陽電池

開放特許情報番号
L2003002867
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/28

基本情報

出願番号 特願2000-335628
出願日 2000/11/2
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-141116
公開日 2002/5/17
登録番号 特許第3453597号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体複合薄膜電極およびこれを用いた太陽電池
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 可視光応答性に優れた半導体複合薄膜電極ならびにそれを用いた太陽電池
目的 色素増感型太陽電池などに比べて光エネルギー変換効率が高く、しかも簡単な製造方法で作製できる安価な半導体複合薄膜電極およびそれを用いた光エネルギー変換効率が高められた太陽電池の提供。
効果 この半導体複合薄膜電極は、従来のものに比し、紫外光領域に吸収特性を有する多孔質の半導体薄膜層の表面全体に可視光領域に吸収特性を有する半導体が薄膜状となって多量に保持された構造を有し、また簡便な方法により作製することができるものである。また、この電極を有する太陽電池は、従来法により作製された太陽電池に比べて、著しく高い光電変換効率を与える。
技術概要
この技術において、導電性基板上に、紫外光吸収特性を示し、大きなバンドギャップ(ワイドギャップ)を有する金属酸化物や金属ハロゲン化物などの化合物半導体薄膜を、例えば硫化水素、セレン化水素あるいはテルル化水素などの気流中で処理することにより得られる、その表面に可視光領域に吸収を持つ金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物薄膜層を形成させた半導体複合薄膜電極が光エネルギー変換効率に優れた太陽電池を得る。半導体複合薄膜電極側から太陽光を有する光を照射すると、半導体複合薄膜電極内の可視光応答性薄膜層が、そのバンドギャップよりも大きいエネルギーを有する近赤外光、可視光、紫外光などを吸収する。励起された電子は紫外光応答性薄膜層の伝導帯準位に注入され、バックコンタクトである導電性基板まで至る。電子を失った可視光応答性薄膜層は、電解液中のレドックスイオンにより還元され、電子を受け取る。さらに、レドックスイオンは対極上で再還元され、ヨウ素イオンが再生される。この電子の流れにより外部電流を取り出すことができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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