高熱伝導窒化ケイ素セラミックス並びにその製造方法

開放特許情報番号
L2003002849
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/28

基本情報

出願番号 特願2000-318912
出願日 2000/10/19
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-128569
公開日 2002/5/9
登録番号 特許第3648541号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 高熱伝導窒化ケイ素セラミックス並びにその製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 窒化ケイ素マグネシウム、焼結助剤、熱機関、熱交換器、ヒートパイプ、機械部品材料、半導体基板、プリント配線基板、電気絶縁材料
目的 少なくとも窒化ケイ素マグネシウム(MgSiN↓2)を含む焼結助剤を用いて、低温での緻密化と粒成長を可能とする新しい高熱伝導窒化ケイ素セラミックスの製造方法の提供。
効果 1900℃以下の低温焼結で焼結体の緻密化と粒成長を可能とする。さらに、100W/ml以上の高い熱伝導率の窒化ケイ素焼結体が得られる。
技術概要
 
この技術では、高熱伝導窒化ケイ素焼結体を作製するには、まず、窒化ケイ素原料粉末に少なくとも窒化ケイ素マグネシウム(MgSiN↓2)を含む所定量の焼結助剤を添加する。この窒化ケイ素マグネシウムとしては、例えば、ケイ化マグネシウム金属粉末(Mg↓2Si)を窒素雰囲気中1400℃程度に加熱し合成されたものを粉砕して得た粉末が用いられる。窒化ケイ素原料は、α型、β型いずれの結晶系のものを用いても良いが、好適には、平均粒径1μm以下の微粉末を用いることが望ましい。焼結助剤としては、少なくとも窒化ケイ素マグネシウム(MgSiN↓2)を含むものを使用することが重要である。次に、これらの原料の混合に当たっては、粉体の混合あるいは混練に用いられる遊星ミル、ポットミル、トロンメルなどの通常の機械を使用することができる。そして、混合したスラリーから溶媒を乾燥して得た混合粉末を金型を用いて所定の形状に成形する。次に、成形体は、まず、窒素雰囲気中、600〜1000℃の温度で仮焼を行い、有機成分を加熱除去した後、1900℃以下、1700〜1900℃の温度、1〜10気圧の窒素中で1〜24時間焼結する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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